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TPiS S 1051•TPiS 1S 1252
数字文件®
传感器，SMD
DigiFile传感器具有一个连接至内部
提供放大和数字转换的ADC。位于
特别设计的带光学窗口的SMD载体，DigiFile提供两种
不同版本的传感芯片。
SMD型DigiFile提供具有数字17位输出的Thermopile。
与许多其他类型的探测器一样，该探测器具有我们的专利ISOthermal
表演在比特流中，热电堆信号后面跟着另一个
内部温度参考二极管发出的信号。使用数字
输出，实现了低电气干扰。这些功能
实现广泛温度测量的优化设计
应用。通过TPiS 1S 1051，我们提供最小的外壳和最小的
热电堆芯片可用。对于TPiS 1S 1252，由于
以提供更高灵敏度的热电堆芯片，从而提高性能。
TPiS 1S 1051-TPiS 1 S 1252 TPiS S 1051 TPiS s 1252
参数符号TPiS 1S 1252 TPiS 1 S 1051装置备注
操作条件
工作电压VDD 2,4…3,6 2,4…3.6V
电源电流IDD最大值15 15µA VDD=3.3 V
工作温度为-20…70-20…70°C参数可能与规定不同
具有温度依赖性的值。
储存温度Ts-40…100-40…100°C
热堆特性
敏感区域A 0,51 x 0,51 0,4 x 0,4 mm2
吸收塔面积
灵敏度（Tdet 25°C/Tobj 40°C）S40 400 210计数/K
灵敏度（Tdet 25°C/Tobj 100°C）S100 530 280计数/K
TP 8的噪音计Tobj=40°C，Tamb=25°C
时间常数t 45 15 ms
环境温度传感器特性
Tamb 90 90计数/K线性灵敏度，适用于0°C至90°C的Tamb
环境温度下计数=25°C 7000…9400 7000…9400counts范围
光学特性
视野120 120/116度，50%强度点
电气特性
ADC分辨率Tobj 17 17位最大计数=217
ADC分辨率Tamb 14 14位最大计数=214
Tobj 0,7…0,9 0,7？0,9µV/count的ADC灵敏度
ADC偏移Tobj 64000…65000 64000…6.5万计数范围
热电堆传感器-数字
32 TPiS 1T 1252B•TPiS 2T 1254•TPiS 1T 1256 L5.5
数字文件®
–ISO热堆传感器
作为Excelitas专注于创新和数字化的延续，DigiFile
是具有数字17位输出的热电偶堆。探测器的完整范围为
具有我们专利的ISOthermal性能。在位流中
热电堆信号之后是由内部温度给出的另一个信号
参考二极管。数字输出，电干扰干扰小
实现。这些特点使耳朵和前额的设计更加完美
测温。
TPiS 1T 1252B、TPiS 2T 1254、TPiS 1T 1256 L5.5
参数符号TPiS 1T 1252B TPiS 1 T 1254 TPiS 2 T 1256 L5.5装置备注
操作条件
工作电压VDD 2,4…3,6 2,4…3，6 2,4..3,6 V
电源电流IDD最大值15最大值15µA VDD=3.3 V
工作温度为-20…70-20…70-20…70-70…70°C参数可能与规定不同
具有温度依赖性的值。
储存温度Ts-40…100-40…100-40…100°C
热堆特性
敏感区域A 0.51 x 0.51 0,51 x 0.51 0，51 x 0.51,51 x 0,51 mm2
吸收塔面积
灵敏度（Tdet 25°C/Tobj 40°C）S40 290 150 67计数/K
灵敏度（Tdet 25°C/Tobj 100°C）S100 370 200 85计数/K
TP 8 8 8的噪声计数Tobj=40°C，Tamb=25°C
时间常数t 45 45 45 ms
环境温度
传感器特性
Tamb 90 90 90计数/K线性灵敏度，适用于0°C至90°C的Tamb
环境温度下计数=25°C 7000…9400 7000…9400-7000…9400-计数范围
光学特性
视野84 56 5度，50%强度点
电气特性
ADC分辨率Tobj 17 17 17位最大计数=217
ADC分辨率Tamb 14 14 14位最大计数=214
Tobj的ADC灵敏度0,7…0,9 0,7..0,9 0，7…0.9µV/count
ADC偏移Tobj 64000…65000 64000…65 000 64000…6.5万计数范围
热电堆传感器-数字
TPiS 1T 1252B型
TPiS 1T 1254型
TPiS 1T 1256 L5.5型
33
福克斯TPiS 1T 1256 L5.5
福克斯TPiS 1T 1254
福克斯TPiS 1T 1252B
热电堆传感器–数字
TPiS 1T 1252B型
TPiS 1T 1254型
TPiS 1T 1256 L5.5型
20热电效应
热电效应（或塞贝克效应）与
珀尔贴效应。通过施加温度
差到二的两个交叉点
不同材料A和B，电压U，
与温度成正比
观察到差异。
探测器设计
利奥波多·诺比利（1784-1835）首次使用
红外辐射的热电效应
使用铋“堆”进行测量
和锑触点。测量
这种效应称为热电效应
塞贝克系数。
对于大多数导电材料
系数很低，只有很少
半导体具有相当高的
系数。由于电压单一
热电电池非常低
这种电池串联排列
获得更大的信号，形成一堆
热元件。
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